Transistors à effet de champ à base de GaAs et GaN pour l’imagerie THz

Thèse soutenue le 3 décembre 2010 par Salman Nasdar, doctorant l’équipe THz du GES sous la direction de W. Knap
Les dernières années montrent des nombreuses applications de la spectroscopie Teraheretz (THz) dans la domaine de sécurité postale, contrôle de la qualité, médecine et biologie. Après les premières expériences de l’imagerie avec un seul élément / détecteur, l’étape suivante est l’utilisation de matrices de détecteurs. Par conséquent, la nécessité de détecteurs THz sensibles, très rapides, opérant (...)

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